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光焱科技新推出PD-QE测试系统,针对第三代半导体材料Photodiode/Photodetector的相关特性测试,整合新高精密直流可耐电压侦测技术,与传统交流模式下测量EQE使用锁相放大器、电压无法加过12V相比,该系统高可输出1000V高压,电流量程为2pA,精度达0.1fA,可满足客户多种量测需求。
光焱科技新推出PD-QE测试系统,针对第三代半导体材料Photodiode/Photodetector的相关特性测试,整合新高精密直流可耐电压侦测技术,与传统交流模式下测量EQE使用锁相放大器、电压无法加过12V相比,该系统高可输出1000V高压,电流量程为2pA,精度达0.1fA,可满足客户多种量测需求。
设备特点
使用均匀光斑的"照度模式" (Irradiance Mode) 符合ASTM E1021;
取代传统聚焦小光斑,可以测试um等级的光电传感器;
均匀光斑可以克服色散差与像差的问题,可准确测得EQE曲线;
可搭配多种探针台系统,实现非破坏性的快速测试;
集成的光学与测试系统,提高系统搭建效率;
一键式自动化测试软件,自动全光谱校正与测量,工作效率高。
测试特性
外部量子效率EQE
光谱响应SR
I-V曲线测量
NEP光谱测量
D*光谱测量
Noise-current-frequency响应图 (A/Hz-1/2; 0.01Hz~1,000Hz)
Flicker noise, Johnson Noise, Shot noise 分析